Транзистор YGW40N065F1 (Trench Field Stop IGBT 40A 650V)

YGW40N065F1 - це потужний транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) із технологією Trench Field Stop, розроблений для високоефективних силових електронних додатків. Він поєднує в собі переваги польових та біполярних транзисторів, забезпечуючи високий вхідний опір, низькі втрати провідності та швидке перемикання. YGW40N065F1 ідеально підходить для використання в: - Інвертори для сонячних батарей - зварювальних апаратах - індукційних нагрівачів - безперебійних джерелах живлення (UPS) - електроприводи змінного струму - інших додатках, що вимагають високої потужності та ефективності Характеристики: - Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - Технологія: Trench Field Stop - Номінальний струм колектора (IC): 40A - Номінальна напруга колектор-емітер (Vces): 650V - Опір відкритого каналу (Typ.): 18.5 міліом - Максимальна напруга затвор-емітер (Vges): ±20V - Струм затвора (Qg): 63nC (Typ.) - Час включення (td(on)): 31nS (Typ.) - Час вимкнення (td(off)): 45nS (Typ.) - Втрата провідності (Eon): 1.8mJ (Typ.) - Втрати вимкнення (Eoff): 2.2mJ (Typ.) - Робоча температура (Tj): -55 ° C до +150 ° C - Корпус: TO-247 Переваги: - Висока ефективність перетворення енергії - низькі втрати провідності - Швидке перемикання - Висока надійність та довговічність - Широкий діапазон робочих температур - Стандартний корпус TO-247, зручний для монтажу